在第一沟槽内形成第一栅多晶硅□◁▪，包括▪▼•：在衬底内形成第一沟槽和第二沟槽••=…●，去除第一沟槽侧壁的第二氧化物层和氮化物层★-◇■-★；栅氧化层的厚度大于第一氧化物层的厚度○▽-▷=；在第二沟槽内形成第二栅多晶硅……•。

　　去除第二沟槽侧壁的氮化物层◁▷•▼▲；第一沟槽位于MOS区域内◁■，在第一沟槽的侧壁上形成栅氧化层凯发k8国际官网首页登录▽◁•-▽，本发明提供了一种半导体器件的形成方法凯发k8国际官网首页登录▽▲=。

　　天眼查显示▪●•，上海华虹宏力半导体制造有限公司▲□●▲◁◆“半导体器件的形成方法▲△▷○”专利公布☆●◇□☆，申请公布日为2024年5月28日●●▽，申请公布号为CN118099098A•☆▼☆。

　　在第一屏蔽栅的表面和第二屏蔽栅的表面分别形成第一隔离层和第二隔离层•▪□△●■；第二沟槽位于SBR区域内=…○□；在第一沟槽和第二沟槽的内壁上均形成第一氧化物层●…◆◇、氮化物层和第二氧化物层■○…□▽；在第一沟槽的底部和第二沟槽的底部分别形成第一屏蔽栅和第二屏蔽栅▲…；去除第二沟槽侧壁的第二氧化物层和第一沟槽侧壁的第一氧化物层◇▪；